收藏本站
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? 1212-8 Single
0.152
(3.860)
0.016
(0.405)
0.026
(0.660)
0.039
(0.990)
0.025
(0.635)
0.068
(1.725)
0.030
(0.760)
0.010
(0.255)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
Document Number: 72597
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIS902DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK
SISA10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
SIZ700DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
SIZ710DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
SIZ720DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
SIZ902DT-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
SKY12322-86LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86
SKY12323-303LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY1232-303
相关代理商/技术参数
SIS892DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
SIS892DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIS900A2CN 制造商:SIS 功能描述:
SIS902DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
SIS902DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 75V 4.0A 15.4W 186mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SISA04DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SISA04DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SISA10DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET